应 王荣明 教授的邀请，北京大学 候仰龙 教授课题组和新加坡国立大学 王学森 教授将于周六上午（10月10日）与 王荣明 教授课题组联合举行学术研讨会。欢迎各位老师和同学积极参加。

会议主题：纳米物理与化学

【侯仰龙教授简介】

侯仰龙，北京大学先进材料与纳米技术系特聘研究员, 博士生导师。哈尔滨工业大学博士，北京大学化学与分子工程学院博士后，美国布朗大学研究助理。迄今在Angew. Chem. Int. Et., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., Chem. Commun.等国内外重要学术期刊发表40余篇学术论文，迄今他引600余次。在国内外会议作报告近30篇次。担任Angew. Chem., Chem. Commun.等近20种国内外学术期刊的审稿人。研究兴趣包括：(1) 多组分的结构及维数可控的纳米材料的合成、自组装、多元功能化、及其电磁学、光学与催化性质研究。(2) 交换弹性耦合磁体的设计与合成。(3) 纳米磁性材料在信息存储技术领域的应用。(4) 生物相容的磁性纳米粒子在生物探针、医学成像和药物传输等领域的应用。

【王学森教授简介】

王学森，新加坡国立大学物理系副教授。美国马里兰大学物理学博士，加州大学圣巴巴拉分校和明尼苏达大学博士后。在Phys. Rev. Lett, Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett等重要学术期刊上发表一系列学术论文。主要研究领域包括：表面科学、薄膜、纳米科学。主要研究手段为扫描隧道显微镜（STM）。具体成果包括：

1）用STM测定硅（111）表面上原子台阶的相互作用及对表面稳定性的影响，并利用吸附改变表面上原子台阶的尺寸与分布。

2）确定了Ge/GaAs（001）界面形成时的原子结构演化及Ge在GaAs（001）上的SK生长模式。

3）用STM测定离子轰击GaAs（110）表面产生的缺陷构造，表面粗糙过程， 以及这些缺陷对Ge在GaAs（110）上沉积生长的影响。

4）用STM/AFM测定硅（111）上原子台阶在表面氧化时的结构演化，以及硅表面氧化物纳米结构在热处理时演化。

5）在硅（111）表面成功制备出晶态外延氮化硅薄膜，并分析了表面及界面的原子结构。分析在石墨、硫化钼及氮化硅薄膜上生长的Si、Ge、Al、Sb、Bi、Mn、MnSb等团簇、纳米晶粒及纳米线(链)的形貌与表面原子结构随颗粒尺寸的变化。